ZVN3310FTA

Številka izdelka proizvajalca:

ZVN3310FTA

Product Overview

Proizvajalec:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Številka dela:

ZVN3310FTA-DG

Opis:

MOSFET N-CH 100V 100MA SOT23-3

Podroben opis:

N-Channel 100 V 100mA (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Zaloga:

6862 Kosi Nova Originalna Na Zalogi

12905628

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

ZVN3310FTA Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

Diodes Incorporated

Pakiranje

Tape & Reel (TR)

Serije

-

Stanje izdelka

Active

Vrsta FET

N-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

100 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

100mA (Ta)

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)

10V

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

10Ohm @ 500mA, 10V

vgs(th) (maks) @ id

2.4V @ 1mA

Vgs (maks)

±20V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

40 pF @ 25 V

Funkcija FET

-

Odvajanje moči (maks.)

330mW (Ta)

Delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket naprav dobavitelja

SOT-23-3

Paket / Primer

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Osnovna številka izdelka

ZVN3310

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

HTML tehnični list

Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena

BST82

MR

ZVN3310FTR-NDR

ZVN3310F

ZVN3310FTR

ZVN3310FCT-NDR

Q2955481

ZVN3310FCT

ZVN3310FDKR

Standardni paket

3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

vishay-siliconix

IRFD123PBF

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP

vishay-siliconix

IRFP32N50KPBF

MOSFET N-CH 500V 32A TO247-3

littelfuse

IXTA08N100D2

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263

IXTY02N50D-TRL

MOSFET N-CH