ZVN4210GTA

Številka izdelka proizvajalca:

ZVN4210GTA

Product Overview

Proizvajalec:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Številka dela:

ZVN4210GTA-DG

Opis:

MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223

Podroben opis:

N-Channel 100 V 800mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3

Zaloga:

1564 Kosi Nova Originalna Na Zalogi

12884980

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

ZVN4210GTA Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

Diodes Incorporated

Pakiranje

Tape & Reel (TR)

Serije

-

Stanje izdelka

Active

Vrsta FET

N-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

100 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

800mA (Ta)

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)

5V, 10V

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

1.5Ohm @ 1.5A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

2.4V @ 1mA

Vgs (maks)

±20V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

100 pF @ 25 V

Funkcija FET

-

Odvajanje moči (maks.)

2W (Ta)

Delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket naprav dobavitelja

SOT-223-3

Paket / Primer

TO-261-4, TO-261AA

Osnovna številka izdelka

ZVN4210

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

HTML tehnični list

Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena

ZVN4210GTA-DG

ZVN4210GCT

ZVN4210GDKR

ZVN4210GTR

Standardni paket

1,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

diodes

ZVP3310FTC

MOSFET P-CH 100V 75MA SOT23-3

diodes

ZVN4306GTC

MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223

diodes

ZVNL120ASTOB

MOSFET N-CH 200V 180MA E-LINE

diodes

ZXMP10A17E6TA

MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26