ZVP3306A
Številka izdelka proizvajalca:

ZVP3306A

Product Overview

Proizvajalec:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Številka dela:

ZVP3306A-DG

Opis:

MOSFET P-CH 60V 160MA TO92-3
Podroben opis:
P-Channel 60 V 160mA (Ta) 625mW (Ta) Through Hole TO-92

Zaloga:

2189 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12904661
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

ZVP3306A Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Bulk
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
160mA (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
14Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 1mA
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
50 pF @ 18 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
625mW (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-92
Paket / Primer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Osnovna številka izdelka
ZVP3306

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
ZVP3306A
HTML tehnični list
ZVP3306A-DG
Tehnični listi
ZVP3306A

Dodatne informacije

Druga imena
ZVP3306A-NDR
Standardni paket
4,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
vishay-siliconix

IRFD214

MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP

fairchild-semiconductor

HUFA76409D3S

MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA

vishay-siliconix

IRFBC40LCPBF

MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB

diodes

ZVN4206ASTZ

MOSFET N-CH 60V 600MA E-LINE