Številka izdelka proizvajalca:
ZXMHC6A07N8TC
Product Overview
Proizvajalec:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Številka dela:
ZXMHC6A07N8TC-DG
Opis:
MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
Podroben opis:
Mosfet Array 60V 1.39A, 1.28A 870mW Surface Mount 8-SO
Zaloga:
28253 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12885325
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
ZXMHC6A07N8TC Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Funkcija FET
Logic Level Gate
Odtok do napetosti vira (vdss)
60V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
1.39A, 1.28A
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
250mOhm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
3.2nC @ 10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
166pF @ 40V, 141pF @ 50V
Moč - največja
870mW
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket naprav dobavitelja
8-SO
Osnovna številka izdelka
ZXMHC6A07
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
ZXMHC6A07N8DIDKR
ZXMHC6A07N8DICT
ZXMHC6A07N8DITR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
ZXMP6A16DN8QTA
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SO
ZXMP6A16DN8TA
MOSFET 2P-CH 60V 3.9A 8SO
ZXMD63N02XTA
MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8MSOP