Številka izdelka proizvajalca:
ZXMN2A01E6TA
Product Overview
Proizvajalec:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Številka dela:
ZXMN2A01E6TA-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6
Podroben opis:
N-Channel 20 V 2.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6
Zaloga:
7328 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12905422
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
ZXMN2A01E6TA Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2.5A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
2.5V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
120mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
700mV @ 250µA (Min)
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
3 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±12V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
303 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.1W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
SOT-23-6
Paket / Primer
SOT-23-6
Osnovna številka izdelka
ZXMN2
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
ZXMN2A01E6CT-DG
ZXMN2A01E6CT-NDR
ZXMN2A01E6TR-DG
ZXMN2A01E6TR-NDR
ZXMN2A01E6DKR
ZXMN2A01E6DKRINACTIVE
1034-ZXMN2A01E6CT
31-ZXMN2A01E6TATR
ZXMN2A01E6DKR-DG
ZXMN2A01E6TR
31-ZXMN2A01E6TACT
ZXMN2A01E6CT
31-ZXMN2A01E6TADKR
1034-ZXMN2A01E6TR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
ZXMP10A18KTC
MOSFET P-CH 100V 3.8A TO252-3
IRFU014PBF
MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
ZXMP10A16KTC
MOSFET P-CH 100V 3A TO252-3
