ZXMN2F34MATA
Številka izdelka proizvajalca:

ZXMN2F34MATA

Product Overview

Proizvajalec:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Številka dela:

ZXMN2F34MATA-DG

Opis:

MOSFET N-CH 20V 4A DFN322
Podroben opis:
N-Channel 20 V 4A (Ta) 1.35W (Ta) Surface Mount DFN322

Zaloga:

12887725
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

ZXMN2F34MATA Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
4A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
2.5V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
60mOhm @ 2.5A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
2.8 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±12V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
277 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.35W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
DFN322
Paket / Primer
3-PowerVDFN

Dodatne informacije

Druga imena
ZXMN2F34MACT
ZXMN2F34MADKR
ZXMN2F34MATR
Standardni paket
3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
diodes

DMN10H170SVTQ-7

MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

diodes

ZVN2110ASTOA

MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE

diodes

DMN3030LFG-7

MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8

diodes

ZVP2110ASTOA

MOSFET P-CH 100V 230MA E-LINE