ZXMN3G32DN8TA
Številka izdelka proizvajalca:

ZXMN3G32DN8TA

Product Overview

Proizvajalec:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Številka dela:

ZXMN3G32DN8TA-DG

Opis:

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SO
Podroben opis:
Mosfet Array 30V 5.5A 1.8W Surface Mount 8-SO

Zaloga:

1480 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12905114
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

ZXMN3G32DN8TA Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 N-Channel (Dual)
Funkcija FET
Logic Level Gate
Odtok do napetosti vira (vdss)
30V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
5.5A
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
28mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
10.5nC @ 10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
472pF @ 15V
Moč - največja
1.8W
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket naprav dobavitelja
8-SO
Osnovna številka izdelka
ZXMN3

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
ZXMN3G32DN8DKR
31-ZXMN3G32DN8TACT
31-ZXMN3G32DN8TATR
ZXMN3G32DN8CT-DG
31-ZXMN3G32DN8TADKR
1034-ZXMN3G32DN8CT
ZXMN3G32DN8TR-DG
ZXMN3G32DN8DKR-DG
ZXMN3G32DN8TR
1034-ZXMN3G32DN8TR
1034-ZXMN3G32DN8DKR
ZXMN3G32DN8CT
Standardni paket
500

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
diodes

HTMN5130SSD-13

MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SO

diodes

ZXMD63P02XTA

MOSFET 2P-CH 20V 8MSOP

rohm-semi

SP8M10FRATB

MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOP

diodes

ZXMN10A08DN8TC

MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SO