Številka izdelka proizvajalca:
ZXMN6A11DN8TC
Product Overview
Proizvajalec:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Številka dela:
ZXMN6A11DN8TC-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO
Podroben opis:
Mosfet Array 60V 2.5A 1.8W Surface Mount 8-SO
Zaloga:
12905772
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
ZXMN6A11DN8TC Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 N-Channel (Dual)
Funkcija FET
Logic Level Gate
Odtok do napetosti vira (vdss)
60V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2.5A
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
120mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
1V @ 250µA (Min)
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
5.7nC @ 10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
330pF @ 40V
Moč - največja
1.8W
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket naprav dobavitelja
8-SO
Osnovna številka izdelka
ZXMN6
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IRF7103TRPBF
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
9567
ŠTEVILKA DELA
IRF7103TRPBF-DG
CENA ENOTE
0.29
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
ZXMC4559DN8TA
MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO
ZXMD63P02XTC
MOSFET 2P-CH 20V 8MSOP
ZXMN10A08DN8TA
MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SO