Številka izdelka proizvajalca:
ZXMNS3BM832TA
Product Overview
Proizvajalec:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Številka dela:
ZXMNS3BM832TA-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 2A 8MLP
Podroben opis:
N-Channel 30 V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-MLP (3x2)
Zaloga:
12886372
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
ZXMNS3BM832TA Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Diodes Incorporated
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
2.5V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
180mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
700mV @ 250µA (Min)
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
2.9 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±12V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
314 pF @ 15 V
Funkcija FET
Schottky Diode (Isolated)
Odvajanje moči (maks.)
1W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-MLP (3x2)
Paket / Primer
8-VDFN Exposed Pad
Dodatne informacije
Druga imena
ZXMNS3BM832CT
ZXMNS3BM832TA-DG
ZXMNS3BM832DKR
ZXMNS3BM832TR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
ZVN4525GTA
MOSFET N-CH 250V 310MA SOT223
ZVN4525GTC
MOSFET N-CH 250V 310MA SOT223
ZVN3320FTA
MOSFET N-CH 200V 60MA SOT23-3
