EPC2051
Številka izdelka proizvajalca:

EPC2051

Product Overview

Proizvajalec:

EPC

DiGi Electronics Številka dela:

EPC2051-DG

Opis:

GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Podroben opis:
N-Channel 100 V 1.7A (Ta) Surface Mount Die

Zaloga:

10791 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12802013
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

EPC2051 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
EPC
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
eGaN®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
GaNFET (Gallium Nitride)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
1.7A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
25mOhm @ 3A, 5V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 1.5mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
2.1 nC @ 5 V
Vgs (maks)
+6V, -4V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
258 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
-
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
Die
Paket / Primer
Die
Osnovna številka izdelka
EPC20

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
EPC2051
HTML tehnični list
EPC2051-DG
Tehnični listi
EPC2051

Dodatne informacije

Druga imena
917-1201-2
917-1201-1
917-1201-6
Standardni paket
2,500

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
epc

EPC2020

GANFET N-CH 60V 90A DIE

infineon-technologies

IRF7413ZTR

MOSFET N-CH 30V 13A 8SO

infineon-technologies

BSC010NE2LSATMA1

MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON

infineon-technologies

BSS159NH6327XTSA1

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3