EPC2067
Številka izdelka proizvajalca:

EPC2067

Product Overview

Proizvajalec:

EPC

DiGi Electronics Številka dela:

EPC2067-DG

Opis:

TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
Podroben opis:
N-Channel 40 V 69A (Ta) Surface Mount Die

Zaloga:

4538 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12966314
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

EPC2067 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
EPC
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
eGaN®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
GaNFET (Gallium Nitride)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
69A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.55mOhm @ 37A, 5V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 18mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
22.3 nC @ 5 V
Vgs (maks)
+6V, -4V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3267 pF @ 20 V
Funkcija FET
-
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
Die
Paket / Primer
Die
Osnovna številka izdelka
EPC20

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
EPC2067
HTML tehnični list
EPC2067-DG
Tehnični listi
EPC2067

Dodatne informacije

Druga imena
917-EPC2067CT
917-EPC2067DKR
917-EPC2067TR
Standardni paket
1,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
onsemi

NTMTS1D6N10MCTXG

SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10

vishay-siliconix

SI7840BDP-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI5424DC-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8

vishay-siliconix

SIR826BDP-T1-RE3

MOSFET N-CH 80V 19.8A/80.8A PPAK