FCPF260N60E
Številka izdelka proizvajalca:

FCPF260N60E

Product Overview

Proizvajalec:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Številka dela:

FCPF260N60E-DG

Opis:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Podroben opis:
N-Channel 600 V 15A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Zaloga:

190 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12947007
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

FCPF260N60E Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Pakiranje
Bulk
Serije
SuperFET® II
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
15A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
260mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2500 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
36W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220F-3
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
FCP260N60E, FCPF260N60E

Dodatne informacije

Druga imena
2156-FCPF260N60E
ONSFSCFCPF260N60E
Standardni paket
1

Okoljska in izvozna klasifikacija

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
fairchild-semiconductor

FDPF6N60ZUT

MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F

fairchild-semiconductor

FDB16AN08A0

MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK

nexperia

PH7730DL,115

PH7730DL - N-CHANNEL TRENCHMOS

fairchild-semiconductor

FDD6530A

MOSFET N-CH 20V 21A TO252