FDA18N50
Številka izdelka proizvajalca:

FDA18N50

Product Overview

Proizvajalec:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Številka dela:

FDA18N50-DG

Opis:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Podroben opis:
N-Channel 500 V 19A (Tc) 239W (Tc) Through Hole TO-3PN

Zaloga:

1564 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12946683
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

FDA18N50 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Pakiranje
Bulk
Serije
UniFET™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
500 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
19A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
265mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2860 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
239W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-3PN
Paket / Primer
TO-3P-3, SC-65-3

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
FDA18N50 Datasheet

Dodatne informacije

Druga imena
2156-FDA18N50
ONSONSFDA18N50
Standardni paket
169

Okoljska in izvozna klasifikacija

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
fairchild-semiconductor

FQP8N60C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

fairchild-semiconductor

FQPF630

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

international-rectifier

AUIRF1010Z

MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

fairchild-semiconductor

FDD8782

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3