Številka izdelka proizvajalca:
FDB8896
Product Overview
Proizvajalec:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Številka dela:
FDB8896-DG
Opis:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Podroben opis:
N-Channel 30 V 19A (Ta), 93A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Zaloga:
15952 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12947158
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FDB8896 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Pakiranje
Bulk
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
19A (Ta), 93A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
5.7mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2525 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
80W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (D2PAK)
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
ONSFSCFDB8896
2156-FDB8896
Standardni paket
330
Okoljska in izvozna klasifikacija
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FQPF19N10
MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F
OP540/BD/C3,027
OP540/BD - CUSTOM MOSFET
IRF8304MTRPBF
IRF8304 - 12V-300V N-CHANNEL POW
