FDMC7672
Številka izdelka proizvajalca:

FDMC7672

Product Overview

Proizvajalec:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Številka dela:

FDMC7672-DG

Opis:

MOSFET N-CH 30V 16.9A/20A 8MLP
Podroben opis:
N-Channel 30 V 16.9A (Ta), 20A (Tc) 2.3W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)

Zaloga:

9009 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12946827
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

FDMC7672 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Pakiranje
Bulk
Serije
PowerTrench®, SyncFET™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
16.9A (Ta), 20A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
5.7mOhm @ 16.9A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3890 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.3W (Ta), 33W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-MLP (3.3x3.3)
Paket / Primer
8-PowerWDFN

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

Dodatne informacije

Druga imena
2156-FDMC7672
FAIFSCFDMC7672
Standardni paket
660

Okoljska in izvozna klasifikacija

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
fairchild-semiconductor

FQU5N40TU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

fairchild-semiconductor

FDMC8854

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FQD4N20TM

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

fairchild-semiconductor

FDPF5N50T

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5