FDPF10N60ZUT
Številka izdelka proizvajalca:

FDPF10N60ZUT

Product Overview

Proizvajalec:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Številka dela:

FDPF10N60ZUT-DG

Opis:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Podroben opis:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Zaloga:

12947077
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

FDPF10N60ZUT Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Pakiranje
-
Serije
UniFET™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
9A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
800mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1980 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
42W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220F-3
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

Dodatne informacije

Druga imena
2156-FDPF10N60ZUT
ONSONSFDPF10N60ZUT
Standardni paket
246

Okoljska in izvozna klasifikacija

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
international-rectifier

IRF6775MTRPBF

IRF6775 - 12V-300V N-CHANNEL POW

fairchild-semiconductor

FQPF17N40T

MOSFET N-CH 400V 9.5A TO220F

fairchild-semiconductor

FCPF4300N80Z

MOSFET N-CH 800V 1.6A TO220F

fairchild-semiconductor

FQI13N50CTU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1