HUF76129D3S
Številka izdelka proizvajalca:

HUF76129D3S

Product Overview

Proizvajalec:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Številka dela:

HUF76129D3S-DG

Opis:

N-CHANNEL POWER MOSFET
Podroben opis:
N-Channel 30 V 20A (Tc) 105W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Zaloga:

24723 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12933674
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

HUF76129D3S Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Pakiranje
Bulk
Serije
UltraFET™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
20A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
16mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1425 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
105W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-252 (DPAK)
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
Datasheet

Dodatne informacije

Druga imena
2156-HUF76129D3S
FAIFSCHUF76129D3S
Standardni paket
513

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
RoHS non-compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
fairchild-semiconductor

FDME0106NZT

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

harris-corporation

IRF841

N-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

HRF3205_NL

N-CHANNEL POWER MOSFET

renesas-electronics-america

2SK1400A-E

N-CHANNEL POWER MOSFET