Številka izdelka proizvajalca:
HUF76143S3ST
Product Overview
Proizvajalec:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Številka dela:
HUF76143S3ST-DG
Opis:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Podroben opis:
N-Channel 30 V 75A (Tc) 225W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Zaloga:
1364 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12933421
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
HUF76143S3ST Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Pakiranje
Bulk
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
75A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
5.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3900 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
225W (Tc)
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263AB
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
2156-HUF76143S3ST
FAIFSCHUF76143S3ST
Standardni paket
423
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
HUF76121S3
N-CHANNEL POWER MOSFET
IPB100N04S2L-03ATMA2
N-CHANNEL POWER MOSFET
FDN363N
N-CHANNEL POWER MOSFET
