NDS356AP-NB8L005A

Številka izdelka proizvajalca:

NDS356AP-NB8L005A

Product Overview

Proizvajalec:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Številka dela:

NDS356AP-NB8L005A-DG

Opis:

-30V P-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHAN

Podroben opis:

P-Channel 30 V 1.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Zaloga:

83726 Kosi Nova Originalna Na Zalogi

12968080

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

r70x

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

NDS356AP-NB8L005A Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

Pakiranje

Bulk

Serije

-

Stanje izdelka

Active

Vrsta FET

P-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

30 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

1.1A (Ta)

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)

4.5V, 10V

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

200mOhm @ 1.3A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

2.5V @ 250µA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

4.4 nC @ 5 V

Vgs (maks)

±20V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

280 pF @ 10 V

Funkcija FET

-

Odvajanje moči (maks.)

500mW (Ta)

Delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket naprav dobavitelja

SOT-23-3

Paket / Primer

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

HTML tehnični list

NDS356AP-NB8L005A-DG

Tehnični listi

NDS356AP-NB8L005A

Dodatne informacije

Druga imena

2156S356AP-NB8L005A-600039

Standardni paket

1,576

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

Vendor Undefined

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

nexperia

BUK9515-100A127

NEXPERIA BUK9515-100A - POWER FI

NTNS3CS94NZT5G

2.8A, 20V, 0.09OHM, N-CHANNEL MO

nxp-semiconductors

BUK7660-100A,118

NEXPERIA BUK7660 - N-CHANNEL TRE

transphorm

TP65H035G4WSQA

650 V 46.5 GAN FET