Številka izdelka proizvajalca:
GCMX080B120S1-E1
Product Overview
Proizvajalec:
SemiQ
DiGi Electronics Številka dela:
GCMX080B120S1-E1-DG
Opis:
SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227
Podroben opis:
N-Channel 1200 V 30A (Tc) 142W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Zaloga:
60 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12980096
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
GCMX080B120S1-E1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
SemiQ
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
30A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
20V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
100mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 10mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
58 nC @ 20 V
Vgs (maks)
+25V, -10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1336 pF @ 1000 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
142W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Chassis Mount
Paket naprav dobavitelja
SOT-227
Paket / Primer
SOT-227-4, miniBLOC
Osnovna številka izdelka
GCMX080
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
1560-GCMX080B120S1-E1
Standardni paket
10
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IAUC120N04S6L005ATMA1
IAUC120N04S6L005ATMA1
IRFSL7537PBF
MOSFET N-CH 60V 173A TO262
FCPF190N60-F154
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220F-3
