06N06L

Številka izdelka proizvajalca:

06N06L

Product Overview

Proizvajalec:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Številka dela:

06N06L-DG

Opis:

N60V,RD(MAX)<42M@10V,RD(MAX)<46M

Podroben opis:

N-Channel 60 V 5.5A 960mW Surface Mount SOT-23-3L

Zaloga:

12973 Kosi Nova Originalna Na Zalogi

12978220

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

06N06L Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

Goford Semiconductor

Pakiranje

Tape & Reel (TR)

Serije

TrenchFET®

Stanje izdelka

Active

Vrsta FET

N-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

60 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

5.5A

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)

-

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

42mOhm @ 3A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

2.5V @ 250µA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

2.4 nC @ 10 V

Vgs (maks)

±20V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

765 pF @ 30 V

Funkcija FET

-

Odvajanje moči (maks.)

960mW

Delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket naprav dobavitelja

SOT-23-3L

Paket / Primer

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

Dodatne informacije

Druga imena

3141-06N06LCT

3141-06N06LTR

3141-06N06LDKR

Standardni paket

3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

3 (168 Hours)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

goford-semiconductor

G2312

N20V,RD(MAX)<18M@10V,RD(MAX)<20M

goford-semiconductor

G2312

MOSFET N-CH 20V 5A SOT-23

goford-semiconductor

G23N06K

N60V,RD(MAX)<35M@10V,RD(MAX)<45M

goford-semiconductor

G23N06K

MOSFET N-CH 60V 23A TO-252