Številka izdelka proizvajalca:
G3K8N15KE
Product Overview
Proizvajalec:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Številka dela:
G3K8N15KE-DG
Opis:
MOSFET N-CH ESD 150V 6A TO-252
Podroben opis:
N-Channel 150 V 6A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount TO-252
Zaloga:
2500 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13239078
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
G3K8N15KE Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Goford Semiconductor
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
150 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
6A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
370mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
549 pF @ 75 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
20W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-252
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
3141-G3K8N15KETR
3141-G3K8N15KEDKR
3141-G3K8N15KECT
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
3 (168 Hours)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
