Številka izdelka proizvajalca:
G7K2N20LLE
Product Overview
Proizvajalec:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Številka dela:
G7K2N20LLE-DG
Opis:
MOSFET N-CH ESD 200V 2A SOT-23-6
Podroben opis:
N-Channel 2A (Tc) 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-6L
Zaloga:
13004436
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
G7K2N20LLE Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Goford Semiconductor
Pakiranje
-
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
700mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Vgs (maks)
±20V
Funkcija FET
Standard
Odvajanje moči (maks.)
1.8W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
SOT-23-6L
Paket / Primer
SOT-23-6
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
4822-G7K2N20LLETR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
3 (168 Hours)
Stanje uredbe REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SSF02N15
MOSFET, N-CH, SINGLE, 1.4A, 150V
IPQC60R010S7AXTMA1
MOSFET
SSF2319CJ1
MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.45A, -2
