Številka izdelka proizvajalca:
GC11N65F
Product Overview
Proizvajalec:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Številka dela:
GC11N65F-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220F
Podroben opis:
N-Channel 11A (Tc) 38.5W (Tc) Through Hole TO-220F
Zaloga:
10000 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12978212
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
GC11N65F Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Goford Semiconductor
Pakiranje
Tube
Serije
Cool MOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
11A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
360mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Vgs (maks)
±30V
Funkcija FET
Standard
Odvajanje moči (maks.)
38.5W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220F
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Dodatne informacije
Druga imena
4822-GC11N65F
Standardni paket
2,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
3 (168 Hours)
Stanje uredbe REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
3400
N30V,RD(MAX)<27M@10V,RD(MAX)<33M
3400
MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT-23
1002
N100V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<2