Številka izdelka proizvajalca:
GT080N08D5
Product Overview
Proizvajalec:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Številka dela:
GT080N08D5-DG
Opis:
N85V,65A,RD<8.5M@10V,VTH2.0V~4.0
Podroben opis:
N-Channel 85 V 65A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount 8-DFN (4.9x5.75)
Zaloga:
12997612
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
GT080N08D5 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Goford Semiconductor
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
85 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
65A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1885 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
69W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-DFN (4.9x5.75)
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
3141-GT080N08D5TR
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS Compliant
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
