ICE10N60FP
Številka izdelka proizvajalca:

ICE10N60FP

Product Overview

Proizvajalec:

IceMOS Technology

DiGi Electronics Številka dela:

ICE10N60FP-DG

Opis:

Superjunction MOSFET
Podroben opis:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack

Zaloga:

500 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13001926
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

ICE10N60FP Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
IceMOS Technology
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
10A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
330mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.9V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1250 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
35W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220 Full Pack
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
ICE10N60FP
HTML tehnični list
ICE10N60FP-DG
Tehnični listi
ICE10N60FP

Dodatne informacije

Druga imena
5133-ICE10N60FP
Standardni paket
50

Okoljska in izvozna klasifikacija

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
icemos-technology

ICE60N130W

Superjunction MOSFET

vishay-siliconix

SIHK105N60E-T1-GE3

E SERIES POWER MOSFET WITH FAST

wolfspeed

E3M0040120K

SIC, MOSFET, 40M, 1200V, TO-247-

goford-semiconductor

G2003A

MOSFET N-CH 190V 3A SOT-23-3L