AIMBG120R020M1XTMA1
Številka izdelka proizvajalca:

AIMBG120R020M1XTMA1

Product Overview

Proizvajalec:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Številka dela:

AIMBG120R020M1XTMA1-DG

Opis:

SIC_DISCRETE
Podroben opis:
N-Channel 1200 V 104A (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12

Zaloga:

12988917
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

AIMBG120R020M1XTMA1 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
104A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
18V, 20V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
-
vgs(th) (maks) @ id
-
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
82 nC @ 20 V
Vgs (maks)
+23V, -5V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2667 pF @ 800 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
-
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
AEC-Q101
Kvalifikacija
Automotive
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO263-7-12
Paket / Primer
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Osnovna številka izdelka
AIMBG120

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

Dodatne informacije

Druga imena
448-AIMBG120R020M1XTMA1CT
448-AIMBG120R020M1XTMA1DKR
448-AIMBG120R020M1XTMA1TR
SP005411511
Standardni paket
1,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
anbon-semiconductor

2N7002E

N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT

micro-commercial-components

BSS138BKW-TP

N-CHANNEL MOSFET,SOT-323

micro-commercial-components

BSS138BKT-TP

N-CHANNEL MOSFET,SOT-523

utd-semiconductor

FDN338P

20V 1.6A 500MW [email protected],1.6A 1