Številka izdelka proizvajalca:
AIMBG120R040M1XTMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
AIMBG120R040M1XTMA1-DG
Opis:
SIC_DISCRETE
Podroben opis:
N-Channel 1200 V 48A Surface Mount PG-TO263-7-12
Zaloga:
1629 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12989267
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
AIMBG120R040M1XTMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
CoolSiC™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
48A
Funkcija FET
-
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO263-7-12
Paket / Primer
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Osnovna številka izdelka
AIMBG120
Dodatne informacije
Druga imena
448-AIMBG120R040M1XTMA1DKR
448-AIMBG120R040M1XTMA1TR
448-AIMBG120R040M1XTMA1CT
SP005411513
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
BSC033N08NS5SCATMA1
TRENCH 40<-<100V
MCMN2014A-TP
N-CHANNEL MOSFET,DFN2020-6J
PJMH120N60EC_T0_00601
600V/ 120MOHM / 30A/ EASY TO DRI
