Številka izdelka proizvajalca:
AUIRF7665S2TR
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
AUIRF7665S2TR-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 4.1A DIRECTFET
Podroben opis:
N-Channel 100 V 4.1A (Ta), 14.4A (Tc) 2.4W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount DIRECTFET SB
Zaloga:
12798368
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
AUIRF7665S2TR Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
62mOhm @ 8.9A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 25µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
515 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.4W (Ta), 30W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
DIRECTFET SB
Paket / Primer
DirectFET™ Isometric SB
Osnovna številka izdelka
AUIRF7665
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SP001519440
2156-AUIRF7665S2TR-448
Standardni paket
4,800
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
AUIRF1018ES
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
BSS205NL6327HTSA1
MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-3
AUIRFR8403
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK