Številka izdelka proizvajalca:
AUIRF7669L2TR
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
AUIRF7669L2TR-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 19A DIRECTFET
Podroben opis:
N-Channel 100 V 19A (Ta), 114A (Tc) 3.3W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric L8
Zaloga:
3990 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12798891
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
AUIRF7669L2TR Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
19A (Ta), 114A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4.4mOhm @ 68A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
5660 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.3W (Ta), 100W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
DirectFET™ Isometric L8
Paket / Primer
DirectFET™ Isometric L8
Osnovna številka izdelka
AUIRF7669
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
AUIRF7669L2TR-DG
AUIRF7669L2TRTR
SP001519182
AUIRF7669L2TRCT
2156-AUIRF7669L2TR
IFEINFAUIRF7669L2TR
AUIRF7669L2TRDKR
Standardni paket
4,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
BSP296L6327HTSA1
MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4
BSP89 E6327
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
AUIRLR024ZTRL
MOSFET N CH 55V 16A DPAK
