Številka izdelka proizvajalca:
BSC011N03LSIATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
BSC011N03LSIATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Podroben opis:
N-Channel 30 V 37A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Zaloga:
60580 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12848686
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
BSC011N03LSIATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
37A (Ta), 100A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.1mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4300 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.5W (Ta), 96W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TDSON-8-7
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
BSC011
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
BSC011N03LSIDKR
BSC011N03LSIATMA1DKR
BSC011N03LSIDKR-DG
BSC011N03LSICT
BSC011N03LSI-DG
BSC011N03LSIATMA1TR
BSC011N03LSICT-DG
BSC011N03LSIATMA1CT
BSC011N03LSI
BSC011N03LSITR-DG
SP000884574
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FDMS86263P
MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
FDD306P
MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252
FDB8453LZ
MOSFET N-CH 40V 16.1A/50A TO263
