Številka izdelka proizvajalca:
BSC019N04LSATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
BSC019N04LSATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Podroben opis:
N-Channel 40 V 27A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Zaloga:
25985 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12798448
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
BSC019N04LSATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
27A (Ta), 100A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2900 pF @ 20 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.5W (Ta), 78W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TDSON-8-1
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
BSC019
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
448-BSC019N04LSATMA1CT
BSC019N04LSATMA1-DG
448-BSC019N04LSATMA1TR
SP001067012
448-BSC019N04LSATMA1DKR
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
AUIRL3705ZSTRL
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
AUIRFS6535TRL
MOSFET N-CH 300V 19A D2PAK
AUIRFS3806TRL
MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK