Številka izdelka proizvajalca:
BSC020N03LSGATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
BSC020N03LSGATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Podroben opis:
N-Channel 30 V 28A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Zaloga:
18867 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12826494
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
BSC020N03LSGATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
28A (Ta), 100A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
7200 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.5W (Ta), 96W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TDSON-8-1
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
BSC020
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
BSC020N03LS G-DG
SP000237662
BSC020N03LSGATMA1TR
BSC020N03LS GDKR
SP000264746
BSC020N03LS GDKR-DG
BSC020N03LSGATMA1CT
BSC020N03LSGATMA1DKR
BSC020N03LS GTR-DG
BSC020N03LS GCT-DG
Q3390169
BSC020N03LS GCT
BSC020N03LS G
BSC020N03LSGXT
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SIL08N03-TP
MOSFET N-CH 30V 8A SOT23-6L
PSMN2R0-25MLDX
MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
