Številka izdelka proizvajalca:
BSC026N04LSATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
BSC026N04LSATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Podroben opis:
N-Channel 40 V 23A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Zaloga:
8198 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12798316
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
BSC026N04LSATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
23A (Ta), 100A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.6mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2300 pF @ 20 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.5W (Ta), 63W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TDSON-8-6
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
BSC026
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
BSC026N04LSATMA1-DG
SP001067014
BSC026N04LSATMA1DKR
BSC026N04LSATMA1TR
BSC026N04LSATMA1CT
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
AUIRFR4292TRL
MOSFET N-CH 250V 9.3A DPAK
AUIRF2903ZL
MOSFET N-CH 30V 160A TO262
AUIRFR4105TRL
MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
