Številka izdelka proizvajalca:
BSC037N08NS5ATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
BSC037N08NS5ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Podroben opis:
N-Channel 80 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Zaloga:
11521 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13063864
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
BSC037N08NS5ATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Stanje dela
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
80 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
100A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3.7mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.8V @ 72µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4200 pF @ 40 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.5W (Ta), 114W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TDSON-8-7
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
BSC037
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
BSC037N08NS5ATMA1TR
BSC037N08NS5ATMA1CT
SP001294988
BSC037N08NS5ATMA1-ND
BSC037N08NS5ATMA1DKR
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
BSZ031NE2LS5ATMA1
MOSFET N-CH 25V 19A/40A TSDSON
BSP320S E6433
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
AUIRFR2905Z
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
