Številka izdelka proizvajalca:
BSC052N08NS5ATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
BSC052N08NS5ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 80V 95A TDSON
Podroben opis:
N-Channel 80 V 95A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Zaloga:
17264 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12798922
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
BSC052N08NS5ATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
80 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
95A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
5.2mOhm @ 47.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.8V @ 49µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2900 pF @ 40 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.5W (Ta), 83W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TDSON-8-7
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
BSC052
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
BSC052N08NS5ATMA1-DG
SP001232632
BSC052N08NS5ATMA1CT
BSC052N08NS5ATMA1DKR
BSC052N08NS5ATMA1TR
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
AUIRFB4410
MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
BSS192PE6327
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
94-2183PBF
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
