Številka izdelka proizvajalca:
BSC0901NSATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
BSC0901NSATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Podroben opis:
N-Channel 30 V 28A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Zaloga:
32490 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12842781
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
BSC0901NSATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
28A (Ta), 100A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2800 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TDSON-8-5
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
BSC0901
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
BSC0901NSCT-DG
BSC0901NSATMA1DKR
BSC0901NSTR
BSC0901NSATMA1CT
BSC0901NSDKR-DG
BSC0901NSDKR
BSC0901NSCT
BSC0901NS
BSC0901NSATMA1TR
BSC0901NSTR-DG
SP000800248
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
NTMFS5H425NLT1G
MOSFET N-CH 40V 25A/118A 5DFN
NTBV30N20T4G
MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
NTMFS4933NT1G
MOSFET N-CH 30V 20A/210A 5DFN