Številka izdelka proizvajalca:
BSC0911NDATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
BSC0911NDATMA1-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8
Podroben opis:
Mosfet Array 25V 18A, 30A 1W Surface Mount PG-TISON-8
Zaloga:
4859 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12834514
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
BSC0911NDATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Funkcija FET
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Odtok do napetosti vira (vdss)
25V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
18A, 30A
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
12nC @ 4.5V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1600pF @ 12V
Moč - največja
1W
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Paket naprav dobavitelja
PG-TISON-8
Osnovna številka izdelka
BSC0911
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
BSC0911NDATMA1DKR
IFEINFBSC0911NDATMA1
2156-BSC0911NDATMA1
BSC0911NDATMA1CT
BSC0911NDATMA1TR
SP000934746
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
AUIRF7304QTR
MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SOIC
CPH6635-TL-H
MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.4A 6CPH
ECH8654-TL-HX
MOSFET
