Številka izdelka proizvajalca:
BSC123N10LSGATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
BSC123N10LSGATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 10.6/71A 8TDSON
Podroben opis:
N-Channel 100 V 10.6A (Ta), 71A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Zaloga:
27828 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12835254
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
BSC123N10LSGATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
10.6A (Ta), 71A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
12.3mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.4V @ 72µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4900 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
114W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TDSON-8-1
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
BSC123
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
BSC123N10LS GTR-DG
BSC123N10LSGATMA1CT
BSC123N10LS GDKR
BSC123N10LS GDKR-DG
BSC123N10LS G
BSC123N10LS GTR
BSC123N10LS G-DG
BSC123N10LS GCT-DG
BSC123N10LS GCT
BSC123N10LSGATMA1DKR
BSC123N10LSGATMA1TR
SP000379612
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
BSS138LT3
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
2N7000-D26Z
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
3LP01SS-TL-EX
MOSFET P-CH 30V 100MA 3SSFP
