Številka izdelka proizvajalca:
BSC150N03LDGATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
BSC150N03LDGATMA1-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Podroben opis:
Mosfet Array 30V 8A 26W Surface Mount PG-TDSON-8-4
Zaloga:
50841 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12798574
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
BSC150N03LDGATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 N-Channel (Dual)
Funkcija FET
Logic Level Gate
Odtok do napetosti vira (vdss)
30V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
8A
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
15mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
13.2nC @ 10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1100pF @ 15V
Moč - največja
26W
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Paket naprav dobavitelja
PG-TDSON-8-4
Osnovna številka izdelka
BSC150
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
BSC150N03LD GTR
BSC150N03LDGATMA1DKR
BSC150N03LDGATMA1TR
BSC150N03LD G-DG
SP000359362
BSC150N03LD GDKR
BSC150N03LD GCT
BSC150N03LD G
BSC150N03LDG
BSC150N03LD GDKR-DG
BSC150N03LD GTR-DG
BSC150N03LD GCT-DG
BSC150N03LDGATMA1CT
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
AUIRFN8459TR
MOSFET 2N-CH 40V 50A PQFN
AUIRF7309Q
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
AUIRF7341Q
MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
