Številka izdelka proizvajalca:
BSC16DN25NS3GATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
BSC16DN25NS3GATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5
Podroben opis:
N-Channel 250 V 10.9A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Zaloga:
6986 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12799411
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
BSC16DN25NS3GATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
250 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
10.9A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
165mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 32µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
11.4 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
920 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
62.5W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TDSON-8-5
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
BSC16DN25
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
BSC16DN25NS3GTR-DG
BSC16DN25NS3GDKR
BSC16DN25NS3GATMA1DKR
BSC16DN25NS3GATMA1TR
BSC16DN25NS3GCT
BSC16DN25NS3GTR
SP000781782
BSC16DN25NS3GATMA1CT
BSC16DN25NS3GCT-DG
BSC16DN25NS3G
BSC16DN25NS3 G
BSC16DN25NS3GDKR-DG
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
BSC0902NSATMA1
MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
BSS84PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
BSS138N E6433
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
