BSC220N20NSFDATMA1
Številka izdelka proizvajalca:

BSC220N20NSFDATMA1

Product Overview

Proizvajalec:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Številka dela:

BSC220N20NSFDATMA1-DG

Opis:

MOSFET N-CH 200V 52A TSON-8
Podroben opis:
N-Channel 200 V 52A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-3

Zaloga:

11623 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12853929
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

BSC220N20NSFDATMA1 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
52A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
22mOhm @ 52A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 137µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3680 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
214W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TSON-8-3
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
BSC220

Tehnični list in dokumenti

HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
SP001795096
BSC220N20NSFDATMA1DKR
BSC220N20NSFDATMA1CT
BSC220N20NSFDATMA1-DG
BSC220N20NSFDATMA1TR
Standardni paket
5,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
renesas-electronics-america

HAT2198RWS-E

IC MCU 16BIT

renesas-electronics-america

HAT2172H-EL-E

MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK