BSC430N25NSFDATMA1
Številka izdelka proizvajalca:

BSC430N25NSFDATMA1

Product Overview

Proizvajalec:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Številka dela:

BSC430N25NSFDATMA1-DG

Opis:

MOSFET N-CH 250V TSON-8
Podroben opis:
N-Channel 250 V 36A (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-3

Zaloga:

9831 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12832229
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

BSC430N25NSFDATMA1 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™, StrongIRFET™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
250 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
36A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
-
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
-
vgs(th) (maks) @ id
-
Vgs (maks)
±20V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
-
Delovna temperatura
-
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TSON-8-3
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
BSC430

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
BSC430N25NSFDATMA1-DG
448-BSC430N25NSFDATMA1CT
448-BSC430N25NSFDATMA1TR
SP001795116
448-BSC430N25NSFDATMA1DKR
Standardni paket
5,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
nexperia

PHK13N03LT,518

MOSFET N-CH 30V 13.8A 8SO

nexperia

BUK7Y15-100EX

MOSFET N-CH 100V 68A LFPAK56

nexperia

BUK9M85-60EX

MOSFET N-CH 60V 12.8A LFPAK33

nexperia

BUK9M9R5-40HX

MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33