Številka izdelka proizvajalca:
BSG0811NDATMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
BSG0811NDATMA1-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A TISON8
Podroben opis:
Mosfet Array 25V 19A, 41A 2.5W Surface Mount PG-TISON-8
Zaloga:
8815 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13063863
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
BSG0811NDATMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Proizvajalec
Infineon Technologies
Serije
OptiMOS™
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Stanje dela
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Funkcija FET
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Odtok do napetosti vira (vdss)
25V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
19A, 41A
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
8.4nC @ 4.5V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1100pF @ 12V
Moč - največja
2.5W
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Paket naprav dobavitelja
PG-TISON-8
Osnovna številka izdelka
BSG0811
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
BSG0811NDATMA1-ND
BSG0811NDATMA1TR
SP001075902
BSG0811NDATMA1CT
BSG0811NDATMA1DKR
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
BSD840NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
BSO204PNTMA1
MOSFET 2P-CH 20V 7A 8DSO
IPG20N06S4L14AATMA1
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
