Številka izdelka proizvajalca:
BSO211PHXUMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
BSO211PHXUMA1-DG
Opis:
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO
Podroben opis:
Mosfet Array 20V 4A 1.6W Surface Mount PG-DSO-8
Zaloga:
12839970
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
BSO211PHXUMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Obsolete
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 P-Channel (Dual)
Funkcija FET
Logic Level Gate
Odtok do napetosti vira (vdss)
20V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
4A
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
67mOhm @ 4.6A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.2V @ 25µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1095pF @ 15V
Moč - največja
1.6W
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket naprav dobavitelja
PG-DSO-8
Osnovna številka izdelka
BSO211
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
2156-BSO211PHXUMA1
BSO211P H-DG
SP000613844
INFINFBSO211PHXUMA1
BSO211P H
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
3 (168 Hours)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
SI9933CDY-T1-GE3
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
26680
ŠTEVILKA DELA
SI9933CDY-T1-GE3-DG
CENA ENOTE
0.18
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
DMG9933USD-13
PROIZVAJALEC
Diodes Incorporated
KOLIČINA NA VOLJO
19989
ŠTEVILKA DELA
DMG9933USD-13-DG
CENA ENOTE
0.11
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
AUIRF7379Q
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
EFC4612R-S-TR
MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
FDMD8440L
MOSFET 2N-CH 40V 21A PWR 3.3X5
