Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
BSP135L6327HTSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
BSP135L6327HTSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Podroben opis:
N-Channel 600 V 120mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12799763
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
BSP135L6327HTSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
SIPMOS®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
120mA (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
0V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
45Ohm @ 120mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
1V @ 94µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
4.9 nC @ 5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
146 pF @ 25 V
Funkcija FET
Depletion Mode
Odvajanje moči (maks.)
1.8W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-SOT223-4-21
Paket / Primer
TO-261-4, TO-261AA
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
BSP135
HTML tehnični list
BSP135L6327HTSA1-DG
Tehnični listi
BSP135L6327HTSA1
Dodatne informacije
Druga imena
SP000089206
BSP135 L6327-DG
BSP135 L6327
BSP135L6327XT
2156-BSP135L6327HTSA1-ITTR
INFINFBSP135L6327HTSA1
BSP135L6327HTSA1TR
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
BSP135H6327XTSA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
53521
ŠTEVILKA DELA
BSP135H6327XTSA1-DG
CENA ENOTE
0.52
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
ŠTEVILO DELA
BSP135H6906XTSA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
14854
ŠTEVILKA DELA
BSP135H6906XTSA1-DG
CENA ENOTE
0.89
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
ŠTEVILO DELA
CPC3960ZTR
PROIZVAJALEC
IXYS Integrated Circuits Division
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
CPC3960ZTR-DG
CENA ENOTE
0.30
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPA60R099P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO220
BSO301SPHXUMA1
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
IPB020N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7
IPD60R180P7SE8228AUMA1
MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3