Številka izdelka proizvajalca:
BSP171PH6327XTSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
BSP171PH6327XTSA1-DG
Opis:
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Podroben opis:
P-Channel 60 V 1.9A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Zaloga:
3760 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12851798
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
BSP171PH6327XTSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
SIPMOS®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
1.9A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
300mOhm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 460µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
460 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.8W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-SOT223-4
Paket / Primer
TO-261-4, TO-261AA
Osnovna številka izdelka
BSP171
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
BSP171PH6327XTSA1CT
IFEINFBSP171PH6327XTSA1
BSP171PH6327XTSA1TR
SP001058824
BSP171PH6327XTSA1DKR
2156-BSP171PH6327XTSA1
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
HUF75639S3S
MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
FDC634P
MOSFET P-CH 20V 3.5A SUPERSOT6
FCH041N65F-F085
MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
