Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
BSP89L6327HTSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
BSP89L6327HTSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Podroben opis:
N-Channel 240 V 350mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12800765
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
BSP89L6327HTSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
SIPMOS®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
240 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
350mA (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
6Ohm @ 350mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
1.8V @ 108µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
6.4 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
140 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.8W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-SOT223-4-21
Paket / Primer
TO-261-4, TO-261AA
Osnovna številka izdelka
BSP89
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
BSP89L6327HTSA1-DG
Tehnični listi
BSP89L6327HTSA1
Dodatne informacije
Druga imena
BSP89L6327HTSA1CT
BSP89L6327INDKR-DG
BSP89L6327
BSP89L6327INTR
BSP89L6327INTR-DG
BSP89L6327XT
BSP89L6327HTSA1DKR
BSP89L6327INDKR
BSP89 L6327-DG
SP000089216
BSP89L6327INCT-DG
BSP89L6327INCT
BSP89L6327HTSA1TR
BSP89 L6327
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
ZVN4525GTA
PROIZVAJALEC
Diodes Incorporated
KOLIČINA NA VOLJO
10504
ŠTEVILKA DELA
ZVN4525GTA-DG
CENA ENOTE
0.28
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
BSP89,115
PROIZVAJALEC
Nexperia USA Inc.
KOLIČINA NA VOLJO
11918
ŠTEVILKA DELA
BSP89,115-DG
CENA ENOTE
0.15
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
BSP89H6327XTSA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
7995
ŠTEVILKA DELA
BSP89H6327XTSA1-DG
CENA ENOTE
0.20
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPD50N06S4L12ATMA2
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
BSC360N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON
IPC95R750P7X7SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPB240N03S4LR8ATMA1
MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7