Številka izdelka proizvajalca:
BSS123IXTMA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
BSS123IXTMA1-DG
Opis:
100V N-CH SMALL SIGNAL MOSFET IN
Podroben opis:
N-Channel 100 V 190mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3-5
Zaloga:
12985211
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
BSS123IXTMA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Discontinued at Digi-Key
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
190mA (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
6Ohm @ 190mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
1.8V @ 13µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
0.63 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
15 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
500mW (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-SOT23-3-5
Paket / Primer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Osnovna številka izdelka
BSS123
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
448-BSS123IXTMA1TR
448-BSS123IXTMA1CT
SP005558639
448-BSS123IXTMA1DKR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
BSS123IXTSA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
7750
ŠTEVILKA DELA
BSS123IXTSA1-DG
CENA ENOTE
0.03
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
G15N10C
N100V,RD(MAX)<110M@10V,RD(MAX)<1
SCT4062KRHRC15
1200V, 26A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
MCAC28P06Y-TP
P-CHANNEL MOSFET, DFN5060
