Številka izdelka proizvajalca:
BSS192PE6327T
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
BSS192PE6327T-DG
Opis:
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Podroben opis:
P-Channel 250 V 190mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89
Zaloga:
12844205
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
BSS192PE6327T Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
SIPMOS®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
250 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
190mA (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
2.8V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
12Ohm @ 190mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 130µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
6.1 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
104 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-SOT89
Paket / Primer
TO-243AA
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
BSS192PE6327XTINTR
BSS192PE6327XTINCT
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
BSS192,115
PROIZVAJALEC
Nexperia USA Inc.
KOLIČINA NA VOLJO
42132
ŠTEVILKA DELA
BSS192,115-DG
CENA ENOTE
0.14
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
BSS192PH6327FTSA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
22508
ŠTEVILKA DELA
BSS192PH6327FTSA1-DG
CENA ENOTE
0.16
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
NVMJS1D6N06CLTWG
MOSFET N-CH 60V 38A/250A 8LFPAK
MCH3333A-TL-W
MOSFET P-CH 30V 2A SC70FL/MCPH3
NVMFS5C406NLWFT1G
MOSFET N-CH 40V 53A/362A 5DFN
